RN4985,LF(CT
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、最大工作频率 250 MHz, 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468，采用 US-6 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录DDTD142TC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。PDTC143ZQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。SMUN5114T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。DTA023YUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 UMT-3F-3 封装。DDTB122TC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA、峰值直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。DDTC115TUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DDTC143TUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTC124TCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。PDTC123TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。IMD10AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 100。DTC143XUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC114EUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 50 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTA124GUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTA123JUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-323-3 封装。RN1115MFV,L3F
Toshiba
该型号为晶体管。DDTA144WCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DDTA143XCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。SMMUN2134LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DDTA124XCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。