PEMD30,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FMA2AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA。NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。UMA3NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-5 封装。NSBC124EF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTD113ZQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000042 oz，采用 DFN-1010D-3 封装。DDTA123JE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDTD113ZU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000219 oz。DTA015EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.07 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3F-3 封装。PEMD12,315
Nexperia
该型号为晶体管。IMH4AT110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DTC143ZEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3 封装。PDTA123JU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTB143XTR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。FMA3AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000219 oz。DDTC113TE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。DDTA114EE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 50 mA，采用 SOT-523-3 封装。DTA144TMT2L
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。