DDTC114GCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DDTC114TCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DTC015TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。PDTC143TT,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTA123EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTA144TUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 UMT-3 封装。DTA123YCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-23-3 封装。PDTC114TT,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTA124XT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTC143TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTA124XU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTC143TU,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000194 oz，采用 SOT-323-3 封装。PDTC144EU,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。RN1606(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1，采用 SM-6 封装。PBLS6022D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 285、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V，采用 TSOP-6 封装。PBLS2022D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V，采用 TSOP-6 封装。DDC124EU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。RN2505TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-25-5 封装。SDTA114YET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DDTC144WUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。