DTA115GUAT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 82、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录EMH2T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-6 封装。DTC144TM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160, 350、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-723-3 封装。MUN5231T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。PDTA144EU,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC015TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3 封装。DTC015EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 40 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3 封装。SMUN5113T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。DTA015EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.07 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。EMB4T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。PDTB123TT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA、峰值直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。NSBC114YF3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-1123-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-1123-3 封装。UMA1NTR
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 TUMT-5 封装。SMUN2111T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000389 oz。NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-963-6 封装。DTA143TET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-75-3 封装。DDTC114ELP-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 10、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 DFN-1006-3 封装。DTA143XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 VMT-3 封装。PEMD9,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。PEMH13,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。