DTC113EET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMUN2241LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。MMUN2237LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000283 oz。DTC114TCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-23-3 封装。DCX143ZU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出电压 300 mV, - 300 mV、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Pre-Biased Transistor、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP，采用 SOT-363-6 封装。DTB543ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-3 封装。PDTD143XTR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMD6,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。SMUN2216T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。IMB3AT110
ROHM Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-74-6 封装。UMC5NQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 KOhms, 4.7 kOhms、耗散功率（Pd） 290 mW，采用 SOT-353-5 封装。EMB2T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-6 封装。EMD2T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 EMT-6 封装。FMA9AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 50 mA，采用 SOT-25-5 封装。SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC123TF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000016 oz。PDTD114ETR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000268 oz。UMC5N-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.476、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-353-5 封装。DTA015EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.07 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 VMT-3 封装。DTA014TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 50 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 VMT-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。