PEMH24,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 20 mA，采用 SOT-666-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC943TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 35 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 UMT-3F-3 封装。SMMUN2111LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMH20,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。PBLS6023D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 285、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V，采用 TSOP-6 封装。EMC3DXV5T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-553-5 封装。IMB11AT110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 50 mA。MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。RN1302,LF
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SC-70 封装。SMUN5235T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DDTC144VUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-323-3 封装。DTA015TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 UMT-3F-3 封装。RN1106,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。PDTC123EM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。MUN2234T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。DTA044TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3F-3 封装。PDTA124EU,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA144EUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-323FL-3 封装。SMUN2114T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000389 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。