RN1104MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 0.8、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTA113ZKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SC-59-3 封装。DTA124EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTD114GKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-59-3 封装。PDTC144TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。UMA2NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-5 封装。EMB10T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-6 封装。DTD523YMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 VMT-3 封装。SBCX19LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 0.5 A、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 SOT-23-3 封装。PUMD10,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。PUMD3,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。DTA143TMT2L
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。PUMD15,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。PEMH9,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-553-5 封装。DCX115EU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出电压 300 mV, - 300 mV、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Pre-Biased Transistor、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP，采用 SOT-363-6 封装。DIMD10A-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 0.1 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。UMC4N-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-353-5 封装。PBLS2001D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V，采用 TSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。