PDTB143ETR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC643TKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 600 mA，采用 SC-59-3 封装。IMB2AT110
ROHM Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SC-74-6 封装。UMB4NTN
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 UMT-6 封装。DTA143TETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 EMT-3 封装。DTC923TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 35 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 UMT-3F-3 封装。PBLS2003D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V，采用 TSOP-6 封装。PUMB9,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.2、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。DTA124XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：$0.074
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 $0.074 封装。DTA113EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000045 oz。DTB123ECT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTB123EC。PDTA144EM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。DTA144ECAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。DTA123JM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。DTA024XUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 UMT-3F-3 封装。DTA043EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 VMT-3 封装。DTC043TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。DTC014TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。DTA024EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 VMT-3 封装。DTC144WUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。