DTB114GKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 500 mA，采用 SC-59-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTD543ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 VMT-3 封装。PUMD3,125
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。DTC024EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3 封装。DTC124XU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。MUN2230T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。DTC043TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3F-3 封装。MUN5135T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。DTA144WUAT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA。MUN5216T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70-3 封装。PDTA143TU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA024EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。MUN2240T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-59-3 封装。DTA115TET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。PDTA114EMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-553-5 封装。FMG3AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-25-5 封装。FMA1AT148
ROHM Semiconductor · 封装：$0.161
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 $0.161 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。