PUMD6,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000194 oz，采用 TSSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVMUN2233T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.12、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59 封装。DDTD123EC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 39、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTB513ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 VMT-3 封装。DDTA114YUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-323-3 封装。DDTC143XUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PBLS6005D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。PBLS6004D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。DDTC123ECA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-23-3 封装。DTC914TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 35 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 UMT-3 封装。RN1301,LF
Toshiba
该型号为晶体管。DDC143ZU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DTC015EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 40 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 VMT-3 封装。DTC124GUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-3 封装。DTA015TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3F-3 封装。DTA023EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。MMUN2131LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。PBLS2004D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。DDTC123JE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.046、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-523-3 封装。DDTC143XE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。