DDTB142TC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 470 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MUN2216T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59 封装。MUN5113T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70/SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70/SOT-323-3 封装。PDTA123YU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.222、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。MMUN2240LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000219 oz。FMA4AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-25-5 封装。SMUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。UMA4NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-5 封装。RN1901FETE85LF
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。UMH1NTN
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-6 封装。PBLS4002Y,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。DTA143ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 VMT-3 封装。PUMD4,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。DTD143ECT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。DTA114YMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 VMT-3 封装。MUN5236DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。RN1401,LF
Toshiba
该型号为晶体管。DTC043XEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 SOT-416FL-3 封装。DTA144GUAT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。