MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000219 oz。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DDTC123YUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DDTA114YCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。FMG6AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-25-5 封装。DTB123YUT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 UMT-3 封装。EMB11T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-6 封装。IMH21T110
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 600 mA，采用 SMT-6 封装。NSVBC857BLT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTA123JCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 SOT-23-3 封装。DTA023YMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 VMT-3 封装。DTA114TETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 EMT-3 封装。DDC115EU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms, 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DTC124TUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-3 封装。DTA124EETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3 封装。DTC115TUAT106
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-3 封装。DTA114TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 VMT-3 封装。DDTB113EU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA044EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。DTA114TET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-75-3 封装。PUMD12,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。