FMG2AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 30 mA，采用 SOT-25-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PDTC123EMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。DTC123EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8, 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。UMH2NTN
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-6 封装。DDTC123TCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。PQMH9Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。DTC023JMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 VMT-3 封装。IMH1AT110
ROHM Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74-6 封装。MUN2212T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59 封装。MMUN2130LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。RN1423TE85LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 800 mA。DTA113ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3 封装。SMUN2232T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTC115EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 82、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。IMH23T110
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 600 mA，采用 SMT-6 封装。NSVDTA114EET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。UMD4NTR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-363-6 封装。DTB543EETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。