DTA143XETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.476、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 EMT-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DDTD142JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-323-3 封装。PUMD2,125
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 230 MHz, 180 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-363-6 封装。DDTD142JC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 470 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。DTC124EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60, 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。DTC115TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 VMT-3 封装。DCX143TU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。DTA043ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 VMT-3 封装。DTC014TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-3 封装。PDTC123EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC144EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTC023EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 80 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3 封装。PDTA114EU,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-323-3 封装。DTA043TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3F-3 封装。DTA123JMT2L
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA。DTC643TUT106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 600 mA。DTA143TKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 Digital Transistor、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1，采用 SOT-963-6 封装。DDA114EU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。DDC144EU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。