PEMD12,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTB523YETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 60 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 EMT-3 封装。NSVDTC143ZET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000088 oz。DTC114TM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160, 350、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-723-3 封装。SMMUN2234LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTA143EETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。SBC857ALT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 125、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。DDTC143ZE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-523-3 封装。DTA024EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3F-3 封装。DTC044EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3F-3 封装。DDTC114WUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 24、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-523-3 封装。DTC143EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC124EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTC124XKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。DTA123JKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。MMUN2234LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MUN5215T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70-3 封装。DTA044EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 VMT-3 封装。PBLS4003D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。DTC023JUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 UMT-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。