PUMD24,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录SMUN5213T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。SMUN5212T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。DTA143ECAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。PDTC144WU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.13、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。EMH3T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 EMT-6 封装。EMD9T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 EMT-6 封装。EMH11T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-6 封装。NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-963-6 封装。IMH3AT110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DDTA114EUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC124EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。UMF28NTR
ROHM Semiconductor · 封装：$0.094
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最小直流电流增益（hfe） 68, 180、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 $0.094 封装。DTA114EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35, 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。PUMH24,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 20 mA，采用 TSSOP-6 封装。UMC5NT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88A/SOT-353
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88A/SOT-353 封装。DTA143ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 EMT-3 封装。PBLS2021D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V，采用 TSOP-6 封装。DTB113EKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 - 500 mA，采用 SC-59-3 封装。NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。