DTC143ZM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80, 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PDTC123YT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTA143EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTC114TT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTA114EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 50 mA，采用 VMT-3 封装。NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。DTA043EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3F-3 封装。MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363(PB-Free)-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363(PB-Free)-6 封装。PDTA123ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC044EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。DTC124XET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。PUMB4,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 TSSOP-6 封装。PUMH9,125
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000190 oz，采用 TSSOP-6 封装。DTC023YUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 UMT-3 封装。FJV3105RMTF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。PDTA144ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC023YEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 EMT-3 封装。LMN200B02-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、单件重量 0.000212 oz，采用 SOT-363 封装。DTC114TMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 VMT-3 封装。PDTA115ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 20 mA，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。