DTC044TEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-3F-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DTA123EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTDG14GPT100
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 300、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、连续集电极电流 1 A、峰值直流集电极电流 1000 mA，采用 SOT-89-3 封装。DCX144EU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-363-6 封装。UMH11NTN
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-6 封装。UMG11NTR
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TUMT-5 封装。PUMD10,125
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 230 MHz, 180 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-363-6 封装。PUMD17,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.13、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。DTC043EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3F-3 封装。DDTC143XCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DDTA114ECA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。DDTC113ZCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-23-3 封装。PDTC115EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。DTC115EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。PUMB10,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。PUMD18,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。PDTC143ZM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。DDTC114YUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-323-3 封装。RN1402,LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000423 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。