PDTB123ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录SMUN2211T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59 封装。NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-963-6 封装。DTC114TKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTC014YUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 UMT-3 封装。DTA124EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 - 30 mA，采用 SC-59-3 封装。MUN2213T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MMUN2112LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。PUMD2,165
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88A/SOT-353
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80, 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88A/SOT-353 封装。DDTC144EUA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-323-3 封装。DDTC143ECA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-23-3 封装。UMG9NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 50 mA，采用 UMT-5 封装。NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC114TETL
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。PDTA115EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 20 mA，采用 SOT-323-3 封装。UMG2NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA，采用 UMT-5 封装。NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。PBRN113ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 700 mA，采用 SOT-23-3 封装。PBRP123YT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.219、最小直流电流增益（hfe） 190、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。