MJD210RLG
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-252-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTC4591AMCTA
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3020-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V, 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 3 V, 3 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 W-DFN3020-8 封装。PHE13009/DG,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.32 V，采用 TO-220AB-3 封装。NSS20501UW3TBG
ON Semiconductor
该型号为晶体管。FZT1048ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17.5 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 350 mV，采用 SOT-223-4 封装。FJD5555TM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.05 kV、发射极－基极电压（VEBO） 14 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 DPAK-3 封装。ZXTN25020DGTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 7 A，采用 SOT-223-4 封装。ZXTD618MCTA
Diodes Incorporated · 封装：DFN3020B-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 8 mV，采用 DFN3020B-8 封装。ZXTC6720MCTA
Diodes Incorporated · 封装：DFN3020B-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 70 V, 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 70 V, 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 15 mV，采用 DFN3020B-8 封装。NSV12100UW3TCG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。BD244A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-220-3 封装。ZXTC6717MCTA
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3020-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V, 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V, 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 8 mV，采用 W-DFN3020-8 封装。ZXTN25100DGQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 SOT-223-4 封装。ZXTP2006E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV，采用 SOT-23-6 封装。APT13005DTF-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 900 mV、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-220F-3 封装。2SB1202S-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A、增益带宽积（fT） 150 MHz。KSB1151YSTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.14 V，采用 TO-126-3 封装。2SB1216S-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 4 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-252-3 封装。ZXTN2020FTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-23-3 封装。STN951
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。