PMP4501QASZ
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 DFN-1010B-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录EMD6FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SOT-563-6 封装。IGT40R070D1E8220ATMA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 E8220 IGT40R070D1 SP001946158。BCP56-10HX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-223-3 封装。BCP56-16TF
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-3 封装。BCP56-16HX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-223-3 封装。BCY79-VIII
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。BCY79
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。PBSS5360PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000123 oz，采用 DFN-2020D-3 封装。BCP53-16TF
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-223-3 封装。2SCR346PT100Q
ROHM Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SC-62-3 封装。QS5W2TR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25T-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 130 mV，采用 SOT-25T-5 封装。2SCR533P5T100
ROHM Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-62-3 封装。PN3646
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。PBSS4360XF
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-89-3 封装。BC847BQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。PBSS5260PAPSX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020D-6 封装。NSVDTA144WET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVT3946DP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。