DTC124EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 30 mA，采用 SC-59-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录MUN2113T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59 封装。DTC143ZKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTC123JET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTC144EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 30 mA，采用 SC-59-3 封装。MMUN2212LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DTC114YKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.2、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 70 mA，采用 SC-59-3 封装。DTA114EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 50 mA，采用 SC-59-3 封装。MMUN2133LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MMUN2113LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MMUN2232LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23 (Pb-Free)-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23 (Pb-Free)-3 封装。MMUN2213LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MMUN2211LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35, 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MMUN2214LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MMUN2111LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTC144EETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 30 mA，采用 SOT-416-3 封装。DTC143EETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。DTC143ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。DTC114YETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.2、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 70 mA，采用 SOT-416-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。