MD1803DFP
STMicroelectronics · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5、最大集电极－发射极电压（VCEO） 700 V、连续集电极电流 10 A、峰值直流集电极电流 15 A，采用 TO-220FP-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMUN2211LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DTC143EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTC144EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。PDTC143ZT,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363(PB-Free)-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363(PB-Free)-6 封装。MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SC-88-6 封装。MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DTC114EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTC143ZET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTC114YET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。PDTC144ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。PDTC143ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTC114ET,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC043EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。PDTC114YU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTC143ZU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。DTC043ZEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-3F-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。