NSBA144EDXV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVMUN2112T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMUN2111T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。EMD22T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 EMT-6 封装。NSVDTC144WET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.47、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-553-5 封装。PDTC144TMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。IMD10AMT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74R
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 130 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-74R 封装。SMUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMUN5330DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTA113ZMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTC124XMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTA124TMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTA114YMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTA123EMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTC144WMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTA114TMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。MIMD10A-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 0.1 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA, 500 mA，采用 SOT-363-6 封装。PDTA144EMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。