PEMB2,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8，采用 SOT-563-6 封装。PDTB113ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN4983,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DDA114EK-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-26-6 封装。PEMD19,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。RN1603(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SM-6 封装。UMD12NTR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-363-6 封装。PEMD2,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。PEMH16,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。RN4905FE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ES6-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms，采用 ES6-6 封装。PEMB1,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMH13,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。LMN400E01-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、单件重量 0.000212 oz，采用 SOT-363-6 封装。UMD9NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.212、最小直流电流增益（hfe） 68。NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88A
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88A 封装。UMC4NQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz, 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms, 10 kOhms、典型电阻比 1, 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68, 68，采用 SOT-353-5 封装。PEMD24,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。