PEMH1,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVDTA143ZET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMUN2237T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMUN2240T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80, 20，采用 SOT-553-5 封装。SMUN2230T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SDTC144EET1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416-3 封装。PEMH14,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PEMD15,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。PEMD17,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.13、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。PEMD14,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PEMH15,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PEMB14,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PEMB18,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。PEMB13,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 180 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-666-6 封装。PEMB17,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。DTC124XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。PEMD20,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-666-6 封装。PEMD9,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-666-6 封装。PEMH10,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-666-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。