DRDPB16W-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 600 mA，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMMUN2112LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DRDPB26W-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 47、连续集电极电流 600 mA，采用 SOT-363-6 封装。SMMUN2216LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTA143ZMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。PDTC123YMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTA123YMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。NSBC143EDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。PDTC123TMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。NSBA113EF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTC144VMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000219 oz。PDTB113ZT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。