PDTA113ZU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTA123JET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTA143EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTC115TET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DTC123TET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-75 封装。SMUN5114T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTC123EET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。PDTC144WM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.13、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。MMUN2217LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DTC144TET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。MMUN2236LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。MUN5133T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70/SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70/SOT-323-3 封装。MUN2233T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.12、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59 封装。MUN2211T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35, 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。PUMB3,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVMMUN2217LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMMUN2213LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、典型输入电阻 15.4 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 231 mW，采用 SOT-963 封装。NSBC124EPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 231 mW，采用 SOT-963 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。