NSVDTA114EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MUN5236T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。PUMH14,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。PUMH18,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000045 oz。PUMH11F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PUMD30,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。NSVDTC143ZM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTA115EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80, 150、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。RN4907,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、类型 PNP/NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 US-6 封装。RN2903,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DTC123TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DTA123EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 8, 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。DTA143TM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。RN4901,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DTC144EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。DTC115TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DTC115EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80, 150、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。RN4906,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、类型 PNP/NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 US-6 封装。RN1317(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。