PDTA113ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PDTA144VT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.76、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTA143XU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。MUN5115T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-70-3 封装。MUN2238T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DTA014EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。MUN2237T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.15、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MMUN2134LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。MUN2114T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59 封装。MMUN2235LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。MMUN2132LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DDC114EH-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563-6 封装。DDTC144EUAQ-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。PDTC114EQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。DTA114TM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。DTA143ZM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。PUMD16,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 TSSOP-6 封装。PUMD48,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms, 2.2 kOhms、典型电阻比 1, 0.05、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。RN2413TE85LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。PUMH30,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。