DCX143EU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DDC123JU-7-F
Diodes Incorporated · 封装：$0.089
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz，采用 $0.089 封装。NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-963-6 封装。SMMUN2211LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PEMH9,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-666-6 封装。PIMN31,115
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 420 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SC-74-6 封装。EMH9T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-6 封装。DTD143EKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 47、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。DDC114YU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-88-6 封装。DTD123YKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.2、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-59-3 封装。DTC123JKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。DTC114EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 50 mA，采用 SC-59-3 封装。PDTC114EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PDTC123JT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PDTC144EU,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。PDTC114ET,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PUMH11,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。DDTC123JCA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。DCX123JU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。