PUMH13F
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ADTA114EUAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。RN1316,LF
Toshiba
该型号为晶体管。ADTA144ECAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 47 kOhms、典型电阻比 0.2，采用 SOT-363-6 封装。ADTA144EUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000110 oz。PIMC31,115
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 290 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-74-6 封装。PUMD3,115
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。DTC114EM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35, 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。MUN5237DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DDTD113ZC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35，采用 SC-88-6 封装。DTC143EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。DTC014YMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 VMT-3 封装。MUN2112T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59 封装。MMUN2233LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80, 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。UMH9NTN
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.2、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 70 mA，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。