DTA123YCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录EMB51T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-6 封装。EMB75T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-6 封装。NSVDTC144EM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTC124ECAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。EMH59T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 EMT-6 封装。DTB113ZCT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 SOT-23-3 封装。DTB123TCT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTB123TC。PDTA114YUF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-323-3 封装。PDTC115EUF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-323-3 封装。DTA114YCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 SOT-23-3 封装。EMD53T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV, - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-6 封装。PDTC143XTVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。PQMH10Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。PDTB143EQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。ADTC124ECAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。EMH60T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 EMT-6 封装。PQMB11Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74R-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC, 4.9 VDC、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型电阻比 0.01、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74R-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。