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型号列表

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DTC143XCAT116

ROHM Semiconductor · 封装:$0.075

该型号为晶体管,主要参数包括型号别名 DTC143XCA,采用 $0.075 封装。

DTC114TCAT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-23-3 封装。

PDTC114YUF

Nexperia · 封装:SOT-323-3

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 SOT-323-3 封装。

DTC144ECAT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1,采用 SOT-23-3 封装。

DTB123YCT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5,采用 SOT-23-3 封装。

DTC113ZCAT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10,采用 SOT-23-3 封装。

NSVBC817-40WT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。

DTA124ECAT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1,采用 SOT-23-3 封装。

NSVMUN531335DW1T1G

ON Semiconductor · 封装:SOT-363-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.047、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-363-6 封装。

DTC114YCAT116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括型号别名 DTC114YCA。

DTD123TCT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V,采用 SOT-23-3 封装。

DTC143TCAT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-23-3 封装。

ADC114YUQ-13

Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms, 47 kOhms、典型电阻比 0.2,采用 SOT-363-6 封装。

DTA143XCAT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1,采用 SOT-23-3 封装。

EMH61T2R

ROHM Semiconductor · 封装:EMT-6

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1,采用 EMT-6 封装。

DTB143ECT116

ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1,采用 SOT-23-3 封装。

DTA013ZEBTL

ROHM Semiconductor · 封装:EMT-3F-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10,采用 EMT-3F-3 封装。

DTC124XCAT116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括型号别名 DTC124XCA。

ADTC114EUAQ-7

Diodes Incorporated · 封装:SOT-323-3

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1,采用 SOT-323-3 封装。

PDTA123ETVL

Nexperia · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 SOT-23-3 封装。

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