芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

PDTB143XQAZ

Nexperia · 封装：DFN-1010D-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。

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NSVMMUN2236LT1G

ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 4.9 V、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。

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PDTD123YQAZ

Nexperia · 封装：DFN-1010D-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。

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PDTD123EQAZ

Nexperia · 封装：DFN-1010D-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。

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NSVDTC123EM3T5G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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NSVDTA143EM3T5G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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PDTD114EQAZ

Nexperia · 封装：DFN-1010D-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。

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DTD114ECT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC143ECAT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。

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DTD123YCT116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTD123YC。

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DTC143ZCAT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC013ZMT2L

ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 VMT-3 封装。

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DTC013ZUBTL

ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 UMT-3 封装。

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DTB113ECT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC123JCAT116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTC123JCA。

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DTA143ZCAT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 SOT-23-3 封装。

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DTD123ECT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC123YCAT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 SOT-23-3 封装。

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NSVMUN5135DW1T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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EMD59T2R

ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV, - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 EMT-6 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。