DTC124XMFHAT2L
ROHM Semiconductor · 封装:SOT-723-3
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益(hfe) 68,采用 SOT-723-3 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ROHM Semiconductor · 封装:SOT-723-3
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益(hfe) 68,采用 SOT-723-3 封装。ROHM Semiconductor · 封装:SOT-563-6
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 56,采用 SOT-563-6 封装。ROHM Semiconductor · 封装:SOT-323FL-3
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 30,采用 SOT-323FL-3 封装。ROHM Semiconductor · 封装:SOT-723-3
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率(Pd) 150 mW,采用 SOT-723-3 封装。ROHM Semiconductor · 封装:SOT-23-3
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 56,采用 SOT-23-3 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 47 kOhms、典型电阻比 0.2,采用 SOT-363-6 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。Toshiba · 封装:SOT-723-3
该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最小直流电流增益(hfe) 80,采用 SOT-723-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。Nexperia · 封装:DFN-1010D-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1010D-3 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。