DTA143ZEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-416-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC144EUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-323FL-3 封装。DTA124EUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-323FL-3 封装。DTA114YMFHAT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-723-3 封装。DTA144EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。UMB4NFHATN
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-363-6 封装。DTA143TCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 - 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-23-3 封装。DTC143XEBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-416FL-3 封装。EMH10FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-563-6 封装。DTA113ZCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-23-3 封装。DCX144EUQ-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms, 47 kOhms、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-363-3 封装。DTD123TCHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、连续集电极电流 500 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-23-3 封装。DTB123EKFRAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 39，采用 SOT-346-3 封装。DTC143XEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-416-3 封装。DTA143EEBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-416FL-3 封装。DTA123JMFHAT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。DTC123JUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-323FL-3 封装。DTA113ZEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-416-3 封装。DTB123ECHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 39，采用 SOT-23-3 封装。DTA143ZUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-323FL-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。