芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DTC143ZEBHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-416FL-3 封装。

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DTC124XCAHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC144ECAHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。

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DTA114EUBHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SC-85-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SC-85-3 封装。

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DTB123YCHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-23-3 封装。

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DTA123JU3T106

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 SOT-323-3 封装。

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DTA114EU3T106

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。

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EMD9FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV, 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-563-6 封装。

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DTC143EMFHAT2L

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-723-3 封装。

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DTC114EU3T106

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。

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DTD143ECHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 47，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC143ZCAHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC114ECAHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。

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DTC143XMFHAT2L

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-723-3 封装。

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DTA123JEBHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-416FL-3 封装。

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EMD12FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV, 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-563-6 封装。

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DTA124XEFRATL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-416-3 封装。

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DTA143ZEBHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-416FL-3 封装。

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DTC143ZMFHAT2L

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。

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DTA123JEFRATL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-416-3 封装。

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