RN2114(TE85L,F)
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 VESM-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ADTC114ECAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。DTD113ZCHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 82，采用 SOT-23-3 封装。DTC124ECAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-23-3 封装。DTC114YCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。DTC114YUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-323FL-3 封装。DTC124XEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-416-3 封装。DTC123JU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 SOT-323-3 封装。EMB11FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-563-6 封装。EMH11FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-563-6 封装。DTD114ECHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-23-3 封装。DTA123JUBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-323FL-3 封装。EMH25FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-563-6 封装。UMB10NFHATN
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-363-6 封装。EMH9FHAT2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-563-6 封装。DTC123JMFHAT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。DTC123YCAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、最小直流电流增益（hfe） 33，采用 SOT-23-3 封装。DTA143ZU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 SOT-323-3 封装。DTA124EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTC123ECAHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。