DTC124XU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC143TU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。DTA143ZU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC115EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTD113EKFRAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-346-3 封装。DTC144TCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC124TCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC144WCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 0.47、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC115GU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC123YEBHZGTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-416FL-3 封装。DTA143XU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC113ZU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA113ZU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 SOT-323-3 封装。DTC123JU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC144VCAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 0.21、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。DTC143XU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTD143EKFRAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-346-3 封装。DTC614TKT146
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 150 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 820、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SMT-3 封装。DTC123YU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。PUMH17F
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。