2N4911
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXT1053AKQTC
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-252-3 封装。NJVMJD2955T4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。DTA114EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA143EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。UMD3NFHATR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V, 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。DTC114EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC143ZU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC114YU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC144EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA143EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA013ZMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10，采用 SOT-723-3 封装。DTA123YU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA123YU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 SOT-323-3 封装。DTC143XU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC114GU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA124XU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA143TU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-323-3 封装。DTA115EU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTA124XU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。