ZX5T849GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZX5T953GQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMBD4148WTHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz。MJD45C-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。2SC2383P-Y-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001587 oz。2SA1576A-Q-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz。2SA1298-Y-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。ZDT795AQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 德国。ZTN23015CFHQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。NJVMJD3055T4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V。NJVMJD31CG
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJVMJD31CRLG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V。2N2221AUB/TR
Microchip Technology · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-3 封装。2N2222A
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-18-3 封装。2N2222AL
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N2222AUA
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。2N2946A
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。2N3486
Microchip Technology · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-46-3 封装。2N4909
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N4910
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。