NSV40300MZ4T1G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVBCP5316MTWG
onsemi · 封装：WDFNW-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 WDFNW-3 封装。NSV40301CTWG
onsemi · 封装：LFPAK-4
该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 菲律宾，采用 LFPAK-4 封装。NSV40301MDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。NSV40301MZ4T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V。NSVBCH807-25LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOT-23-3 封装。NSVBCH807-40LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。NSVBCH817-40LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。NSVBCP53-16T3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V。NSVBCP5310MTWG
onsemi · 封装：WDFNW-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 WDFNW-3 封装。NSVT3946DXV6T1G
onsemi · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 40 V，采用 SOT-563-6 封装。SMMBT5551LT3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVT45010MW6T1G
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。NSVT45010MW6T3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 中国。SMMBT2222ALT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-23-3 封装。SMMBT2907ALT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。SMMBT2907ALT3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。SMMBT5089LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。SMMBT5401LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。SMMBT5551LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。