芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

2N5226 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。

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2N5226 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区韩国、单件重量 0.016000 oz。

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BC546B APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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2N5262 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-39-3 封装。

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2N5306 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。

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BC546B APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。

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BC857BW-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000176 oz。

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BC857BWHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区中国、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。

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BC857C-13P

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000282 oz。

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BC857CL3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000028 oz。

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BC857CM3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000035 oz。

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BC857CT-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国。

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BC857CW-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000176 oz。

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BC857S-13P

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。

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BC857S-TPQ2

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 15 nA，采用 SOT-363 封装。

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2SC3646T-TD-E

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V。

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2SC3647S-TD-E

onsemi · 封装：PCP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 PCP-3 封装。

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MCH6541-TL-E

onsemi · 封装：MCPH-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, 30 V，采用 MCPH-6 封装。

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2SD1628G-TD-E

onsemi · 封装：PCP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 PCP-3 封装。

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MCH6203-TL-E

onsemi · 封装：MCPH-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 MCPH-6 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。