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2SAR502E3HZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-416-3 封装。
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2SAR502E3TL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-416-3 封装。
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2SAR502U3HZGT106

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
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2SAR512PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2SAR512RHZGTL

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-346T-3 封装。
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2SAR513PHZGT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89-3 封装。
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2N2222AUA/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-4 封装。
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2N2222AUB

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V。
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2N2222AUB/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-3 封装。
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2N2222Ae3

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-18-3 封装。
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2N2919

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N3860 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5226 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5210 TRA PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5210 TRA TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5210 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5223 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5223 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5225 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国、单件重量 0.007266 oz。
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2N5225 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 800 mV，采用 TO-92-3 封装。
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