芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

HN1A01FE-GR,LXHF

Toshiba · 封装：ES-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 ES-6 封装。

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HN1C01FU-GR,LXHF

Toshiba · 封装：US-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 US-6 封装。

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BC817-25-AQ

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。

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BC817K-16-AQ

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管。

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BC817K-25

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。

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MMBT1616A-Y-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000282 oz。

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MMDT2907V-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管。

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MMBT2222ATS-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-523-3 封装。

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MMBT2222AM-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国。

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MMBT2222AHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。

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MMBT2222A-13P

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国、单件重量 0.000282 oz。

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MMBT1815-H-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 TH、单件重量 0.000282 oz。

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MMBT2222AQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国。

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MJD41CQ-13

Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-252-3 封装。

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MMBT2907AQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国。

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ZDT694QTA

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区德国。

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MMBT3904Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。

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MMBT3906Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。

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MMBT4401Q-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区中国。

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MMBT5551Q-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。