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199,570 条型号记录
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TIP31BG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-220-3 封装。
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2N3776

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。
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2N3775

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。
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2N3763

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3763L

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-5-3 封装。
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2N3763U4

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3764

Microchip Technology · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-46-3 封装。
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2N3765

Microchip Technology · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-46-3 封装。
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2N3771

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N3772

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N3774

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。
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PBHV9115T-QR

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。
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PBSS2515YPN-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663810115。
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PBHV9115TLH-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666513215。
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PBHV9560Z-QX

Nexperia · 封装：SC-73-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－基极电压（VCBO） 600 V，采用 SC-73-4 封装。
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PBHV9540Z-QX

Nexperia · 封装：SC-73-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 SC-73-4 封装。
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PBHV9540X-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-89-3 封装。
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PBHV9540X-QF

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-89-3 封装。
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PBHV9414Z-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666516115。
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PBHV9215Z-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664930115。
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