芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

MJE2955TG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-220-3 封装。

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MJE3055TG

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-220-3 封装。

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MJE340G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE350G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE371G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-225-3 封装。

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NST807CMTWFTBG

onsemi · 封装：XDFNW-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 XDFNW-3 封装。

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NST856MTWFTBG

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区马来西亚、晶圆制造国家或地区马来西亚、原产国家或地区马来西亚。

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NST817CMTWFTBG

onsemi · 封装：XDFNW-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 XDFNW-3 封装。

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NST846BMX2T5G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区中国、晶圆制造国家或地区马来西亚、原产国家或地区中国。

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NST846MTWFTBG

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区马来西亚、晶圆制造国家或地区马来西亚、原产国家或地区马来西亚。

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NST847AMX2T5G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区中国、晶圆制造国家或地区马来西亚、原产国家或地区中国。

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NST847BDP6T5G

onsemi · 封装：SOT-963-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-963-6 封装。

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NST847BF3T5G

onsemi · 封装：SOT-1123-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-1123-3 封装。

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NST847BMX2T5G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区中国、晶圆制造国家或地区马来西亚、原产国家或地区马来西亚。

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NST847BPDP6T5G

onsemi · 封装：SOT-963-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-963-6 封装。

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NSV40301MZ4T3G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。

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NSVBC858CLT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSV40302PDR2G

onsemi · 封装：SOIC-8

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOIC-8 封装。

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NSV40501UW3T2G

onsemi · 封装：WDFN3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 WDFN3 封装。

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NSV60101DMTWTBG

onsemi · 封装：WDFN6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 WDFN6 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。