芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

SMMBT2369ALT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。

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SMMBT2222ALT3G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-23-3 封装。

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SMMBT2222AWT1G

onsemi · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SC-70-3 封装。

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TIP36AG

onsemi · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 25 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-247-3 封装。

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TIP36CG

onsemi · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 25 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-247-3 封装。

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2SD1816T-TL-H

onsemi · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 TO-252-3 封装。

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BC32740BU

onsemi · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。

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30A02CH-TL-E

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。

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30A02MH-TL-E

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V。

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30C02MH-TL-E

onsemi · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-323-3 封装。

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50A02CH-TL-E

onsemi · 封装：SC-59-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。

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50A02MH-TL-E

onsemi · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。

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50C02CH-TL-E

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。

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BC32725BU

onsemi · 封装：TO-92-3

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BC32725TA

onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

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MJE182G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE5730G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-220-3 封装。

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MJE200G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE243G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE253G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-225-3 封装。

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