CPH6020-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 SOT-26-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSS12100UW3TCG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 WDFN-3 封装。CPH3109-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 105 mV, - 155 mV，采用 CPH-3 封装。PBSS4130T,215
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-236AB-3 封装。EMT1DXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-563-6 封装。DXT751-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-89-3 封装。CPH5541-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 700 mA、最小直流电流增益（hfe） 300、耗散功率（Pd） 600 mW，采用 CPH-5 封装。PBSS5120T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 2 A，采用 SOT-23-3 封装。STU13005N
STMicroelectronics · 封装：IPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V、最大直流集电极电流 6 A、最小工作温度 - 65 C，采用 IPAK-3 封装。2SC4061KT146N
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 SC-59-3 封装。STN790A
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。KSE13003H2ASTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。BC56-16PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 DFN-2020D-3 封装。30A02CH-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。FMMTL718TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 315 mV，采用 SOT-23-3 封装。NZT902
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-223-4 封装。PCP1203-TD-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.15 V。HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SOT-25-5 封装。DZT5551Q-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。2SA2012-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 140 mV，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。